The growth optimization and mechanism of N-polar GaN films with an in situ porous SiNx interlayer
文献类型：期刊论文
| 作者 | Gaoqiang Deng; Yuantao Zhang; Zhen Huang; Long Yan; Pengchong Li; Xu Han; Ye Yu; Liang Chen; Degang Zhaoand Guotong Du |
| 刊名 | CrystEngComm
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| 出版日期 | 2017 |
| 卷号 | 19页码:4330–4337 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 公开日期 | 2018-11-30 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28789]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Gaoqiang Deng,Yuantao Zhang,Zhen Huang,et al. The growth optimization and mechanism of N-polar GaN films with an in situ porous SiNx interlayer[J]. CrystEngComm,2017,19:4330–4337. |
| APA | Gaoqiang Deng.,Yuantao Zhang.,Zhen Huang.,Long Yan.,Pengchong Li.,...&Degang Zhaoand Guotong Du.(2017).The growth optimization and mechanism of N-polar GaN films with an in situ porous SiNx interlayer.CrystEngComm,19,4330–4337. |
| MLA | Gaoqiang Deng,et al."The growth optimization and mechanism of N-polar GaN films with an in situ porous SiNx interlayer".CrystEngComm 19(2017):4330–4337. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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