本发明实施例公开一种阵列式太赫兹真空二极管器件及其制造方法。其中，所述阵列式太赫兹真空二极管器件包括衬底和多个太赫兹真空二极管，所述多个太赫兹真空二极管在所述衬底上呈阵列排布，每个所述太赫兹真空二极管包括光阴极、真空通道层和阳极，在所述真空通道层设置真空通道，所述真空通道贯穿所述真空通道层，所述光阴极和所述阳极设置在所述真空通道的两端，所述光阴极、所述真空通道层和所述阳极之间形成密封腔，所述真空通道呈圆台状，所述光阴极与所述真空通道的接触面积小于所述阳极与所述真空通道的接触面积。本发明实施例提供的阵列式太赫兹真空二极管器件及其制造方法，提供了一种新的太赫兹真空电子器件。