一种阵列式太赫兹真空三极管器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 阮存军; 戴军; 徐向晏 ; 刘虎林; 丁一坤
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| 发表日期 | 2018-12-28 |
| 专利号 | CN201811621965.7 |
| 著作权人 | 北京航空航天大学 ; 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 产权排序 | 2 |
| 英文摘要 | 本发明实施例公开一种阵列式太赫兹真空三极管器件及其制造方法。其中，所述阵列式太赫兹真空三极管器件包括衬底和在衬底上呈阵列排布的多个太赫兹真空三极管，每个太赫兹真空三极管包括阳极、真空通道层和光阴极，阳极设置在衬底上，真空通道层包括第一绝缘材料层、门控制极和第二绝缘材料层，真空通道贯穿第一绝缘材料层、门控制极和第二绝缘材料层，门控制极设置在第一绝缘材料层和第二绝缘材料层之间，光阴极和阳极设置在真空通道的两端，门控制极和阳极之间设置第一绝缘材料层，门控制极和光阴极之间设置第二绝缘材料层。本发明实施例提供的阵列式太赫兹真空三极管器件及其制造方法，延长了阵列式太赫兹真空三极管器件的使用寿命。 |
| 公开日期 | 2019-05-28 |
| 申请日期 | 2018-12-28 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/31667]  |
| 专题 | 条纹相机工程中心 |
| 作者单位 | 1.北京航空航天大学 2.中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阮存军,戴军,徐向晏,等. 一种阵列式太赫兹真空三极管器件及其制造方法. CN201811621965.7. 2018-12-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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