一种太赫兹真空三极管及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 阮存军; 戴军; 徐向晏 ; 刘虎林; 丁一坤
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| 发表日期 | 2018-12-28 |
| 专利号 | CN201811621896.X |
| 著作权人 | 北京航空航天大学 ; 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 产权排序 | 2 |
| 英文摘要 | 本发明实施例公开一种太赫兹真空三极管及其制造方法。其中，所述太赫兹真空三极管包括阳极、真空通道层和光阴极，所述真空通道层包括第一绝缘材料层、门控制极和第二绝缘材料层，在真空通道层设置真空通道，真空通道贯穿第一绝缘材料层、门控制极和第二绝缘材料层，所述门控制极设置在所述第一绝缘材料层和所述第二绝缘材料层之间，所述光阴极和所述阳极设置在所述真空通道的两端，所述门控制极和所述阳极之间设置所述第一绝缘材料层，所述门控制极和所述光阴极之间设置所述第二绝缘材料层，所述光阴极、所述真空通道层和所述阳极之间形成密封腔。本发明实施例提供的太赫兹真空三极管及其制造方法，延长了太赫兹真空三极管的使用寿命。 |
| 公开日期 | 2019-06-07 |
| 申请日期 | 2018-12-28 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/31669]  |
| 专题 | 条纹相机工程中心 |
| 作者单位 | 1.北京航空航天大学 2.中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阮存军,戴军,徐向晏,等. 一种太赫兹真空三极管及其制造方法. CN201811621896.X. 2018-12-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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