一种制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法
文献类型：专利
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| 作者 | 徐刚 ; 甄恩明 ; 徐雪青 ; 苗蕾 |
| 发表日期 | 2010-05-26 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院广州能源研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提供了一种设备及工艺简单的制备c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法。具体步骤包括：(1)以二乙酰丙酮氧钒为原料，配制成溶胶；(2)以此溶胶为涂覆液，在清洗干净的衬底材料上，采用提拉涂膜法或者旋涂法成膜；(3)在含氧气氛中进行热处理。本发明具有工艺简单，可大面积制备，制备成本低廉等优点。所制备的五氧化二钒薄膜沿c轴方向生长，取向单一，有利于离子的嵌入与脱嵌，可改善锂离子电池阴极及电致变色器件的性能。 |
| 公开日期 | 2010-04-07 ; 2011-07-13 |
| 申请日期 | 2009-09-08 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910192094.6 |
| 专利代理 | 莫瑶江:广州华进联合专利商标代理有限公司 |
| 源URL | [http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/5440]  |
| 专题 | 中国科学院广州能源研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐刚,甄恩明,徐雪青,等. 一种制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法, 一种制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法. 2010-05-26. |
入库方式： OAI收割
来源：广州能源研究所
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