Low lying electronic states of HOCl cation: Ab initio calculations.
文献类型：期刊论文
| 作者 | Mok, DKW; Yeung, AKT; Wang, DX; Chau, FT |
| 刊名 | ABSTRACTS OF PAPERS OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY
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| 出版日期 | 2004-03-28 |
| 卷号 | 227页码:U1015-U1015 |
| ISSN号 | 0065-7727 |
| 语种 | 英语 |
| WOS记录号 | WOS:000223655603375 |
| 出版者 | AMER CHEMICAL SOC |
| 源URL | [http://ir.iccas.ac.cn/handle/121111/82307]  |
| 专题 | 中国科学院化学研究所 |
| 作者单位 | 1.Hong Kong Polytech Univ, Dept Appl Biol & Chem Technol, Kowloon, Hong Kong, Peoples R China 2.Chinese Acad Sci, Inst Chem, Beijing 100864, Peoples R China |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Mok, DKW,Yeung, AKT,Wang, DX,et al. Low lying electronic states of HOCl cation: Ab initio calculations.[J]. ABSTRACTS OF PAPERS OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY,2004,227:U1015-U1015. |
| APA | Mok, DKW,Yeung, AKT,Wang, DX,&Chau, FT.(2004).Low lying electronic states of HOCl cation: Ab initio calculations..ABSTRACTS OF PAPERS OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY,227,U1015-U1015. |
| MLA | Mok, DKW,et al."Low lying electronic states of HOCl cation: Ab initio calculations.".ABSTRACTS OF PAPERS OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY 227(2004):U1015-U1015. |
入库方式： OAI收割
来源：化学研究所
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