基于变压力的CCOS光学研抛技术
文献类型:期刊论文
作者 | 叶枫菲; 余德平; 万勇建; 刘海涛; 赵洪深 |
刊名 | 光电工程
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出版日期 | 2018 |
卷号 | 45期号:4页码:50-57 |
关键词 | 光学加工 CCOS 变压力 研抛 |
ISSN号 | 1003-501X |
DOI | 1003-501X(2018)45:4<170642:JYBYLD>2.0.TX;2-2 |
文献子类 | J |
英文摘要 | 在非球面及自由曲面加工中,应用最为成熟的是计算机控制光学表面成型(CCOS)技术。现有CCOS技术普遍采用恒压力研抛方法,加工过程中研抛压力保持恒压,通过控制驻留时间实现所需的去除量。本文研究了基于变压力的CCOS研抛方法,增加了调控维度,通过同时控制研抛压力和驻留时间实现所需的去除量。首先,对该方法建立了加工控制的数学模型。然后,测量分析了磨头输出力的稳定性和响应速度,去除函数的稳定性。最终,在K9材料平面镜上开展了正弦压力抛光的材料去除实验。结果表明,实测与理想正弦研抛压力周期一致,力误差标准差约为0.35 ;N,对去除面形PV和RMS的影响均不到9%;实际与仿真加工的面形轮廓周期一致,加工区域的面形误差在17%以内。本文实现了变压力研抛,验证了基于变压力的CCOS研抛方法在光学加工中的有效性。 |
语种 | 中文 |
CSCD记录号 | CSCD:6231300 |
源URL | [http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/9177] ![]() |
专题 | 光电技术研究所_先光中心 |
作者单位 | 1.中国科学院光电技术研究所 2.四川大学制造科学与工程学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶枫菲,余德平,万勇建,等. 基于变压力的CCOS光学研抛技术[J]. 光电工程,2018,45(4):50-57. |
APA | 叶枫菲,余德平,万勇建,刘海涛,&赵洪深.(2018).基于变压力的CCOS光学研抛技术.光电工程,45(4),50-57. |
MLA | 叶枫菲,et al."基于变压力的CCOS光学研抛技术".光电工程 45.4(2018):50-57. |
入库方式: OAI收割
来源:光电技术研究所
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