北京正负电子对撞机(BEPCⅡ)束流注入区辐射场研究
文献类型:期刊论文
作者 | 马忠剑![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
刊名 | Radiation Protection辐射防护
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出版日期 | 2017 |
卷号 | 37期号:1页码:12-17 |
关键词 | 注入区 束流损失 中子 光子 |
ISSN号 | 1000-8187 |
其他题名 | Study of radiation field in beam injection region of BEPCⅡ |
文献子类 | Article |
英文摘要 | 北京正负电子对撞机(BEPCⅡ)正负电子束流注入阶段的束流损失,影响储存环束流注入区及防护区辐射场。本文利用束流损失监测系统(BLM系统)分析了束流注入阶段注入区束流损失的位置和束流损失率,并结合FLUKA软件模拟计算对撞实验模式下束流注入阶段注入区的辐射场。结果表明:注入阶段注入区及其下游束流损失明显;辐射场内粒子能谱情况是中子为宽能谱且各向同性,切割磁铁(铁靶)出射蒸发谱峰窄,峰值约为0.9 MeV,直接发射谱不显著;真空管(铝靶)出射蒸发谱峰宽且直接发射谱显著,峰值分别为4 MeV和20 MeV;光子能谱峰窄且前向性明显,能量在5 MeV以下分布集中;中子与光子剂量率水平相当;注入阶段比非注入阶段剂量率高约2个数量级;对撞实验模式下,实验测量整个运行阶段储存环光子剂量率平均水平约为1 000 muSv /h,中子剂量率比光子剂量率低1个数量级。 |
WOS研究方向 | Nuclear Science & Technology (provided by Clarivate Analytics) |
语种 | 中文 |
CSCD记录号 | CSCD:5959698 |
源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/285036] ![]() |
专题 | 高能物理研究所_实验物理中心 |
作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 马忠剑,阎明洋,吴青彪,等. 北京正负电子对撞机(BEPCⅡ)束流注入区辐射场研究[J]. Radiation Protection辐射防护,2017,37(1):12-17. |
APA | 马忠剑.,阎明洋.,吴青彪.,丁亚东.,赵晓岩.,...&李楠.(2017).北京正负电子对撞机(BEPCⅡ)束流注入区辐射场研究.Radiation Protection辐射防护,37(1),12-17. |
MLA | 马忠剑,et al."北京正负电子对撞机(BEPCⅡ)束流注入区辐射场研究".Radiation Protection辐射防护 37.1(2017):12-17. |
入库方式: OAI收割
来源:高能物理研究所
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