纳米硅上的弯曲表面效应及其特征发光
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄伟其; 黄忠梅; 苗信建; 尹君; 周年杰; 刘世荣; 秦朝建 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 2014 |
| 卷号 | 63期号:3页码:034201-8 |
| 关键词 | 纳米硅结构 弯曲表面效应 局域态 特征线 |
| 英文摘要 | 纳米硅结构使能带的带隙展宽, 并形成准直接能带带隙结构. 弯曲表面上的某些键合可以在带隙中产生局域电子态, 计算表明: 纳米硅弯曲表面上的SiB N, Si=O和SiB OP Si键合能够分别在带隙中2.02 eV, 1.78 eV和2.03 eV附近形成局域态子带, 对应了实验光致荧光谱(PL)中605 nm处的LN 线、693 nm处的LO1线和604 nm 处的LO2 线特征发光. 特别是, SiB Yb键合在纳米硅弯曲表面上可以将发光波长调控到光通信窗口, 在1310 nm到1600 nm 范围形成LYb 线特征发光. |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.gyig.ac.cn/handle/42920512-1/9300]  |
| 专题 | 地球化学研究所_矿床地球化学国家重点实验室 |
| 作者单位 | 1.贵州大学, 纳米光子物理研究所, 贵阳 550025 2.中国科学院地球化学矿床化学研究所国家重点实验室, 贵阳 550002 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄伟其;黄忠梅;苗信建;尹君;周年杰;刘世荣;秦朝建. 纳米硅上的弯曲表面效应及其特征发光[J]. 物理学报,2014,63(3):034201-8. |
| APA | 黄伟其;黄忠梅;苗信建;尹君;周年杰;刘世荣;秦朝建.(2014).纳米硅上的弯曲表面效应及其特征发光.物理学报,63(3),034201-8. |
| MLA | 黄伟其;黄忠梅;苗信建;尹君;周年杰;刘世荣;秦朝建."纳米硅上的弯曲表面效应及其特征发光".物理学报 63.3(2014):034201-8. |
入库方式： OAI收割
来源：地球化学研究所
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