一种P型负温度系数陶瓷材料的欧姆接触电极的制备方法
文献类型:专利
作者 | 姚金城![]() ![]() |
发表日期 | 2019-03-12 |
著作权人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明涉及一种P型负温度系数陶瓷材料的欧姆接触电极的制备方法。该方法使用直流磁控溅射技术,选用现有的四元系钴锰铁锌P型负温度系数陶瓷材料为陶瓷基体,先在陶瓷基体表面蒸镀第一层35nm‑1200nm Pd或Ni作为过渡层,之后再蒸镀一层400nm的Ag作为焊接层,然后在温度400℃‑800℃快速退火,得到具有良好欧姆接触的电极。经检测结果表明,该电极具有良好的欧姆接触、牢固的附着力、良好的可焊性和稳定性。该方法采用功函数较高的金属作为过渡层,使金属和陶瓷体的接触电阻更低,并且过渡层还解决了P型负温度系数陶瓷烧渗银电极中银的渗透问题。 |
申请日期 | 2018-11-15 |
源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/6391] ![]() |
专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 姚金城,陈计好,王军华,等. 一种P型负温度系数陶瓷材料的欧姆接触电极的制备方法. 2019-03-12. |
入库方式: OAI收割
来源:新疆理化技术研究所
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