化合物一水一硼酸二羟基十硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途
文献类型：专利
| 作者 | 潘世烈 ; 蒋相站; 韩健
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| 发表日期 | 2015-04-29 |
| 著作权人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种化合物一水一硼酸二羟基十硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体的化学式为Ba2(B5O8(OH))2B(OH)3·H2O，分子量为752.65，属于单斜晶系，空间群P21，晶胞参数为a=6.7719(10)?，b=21.1195(4)?，c=6.8274(10)?，β=119.3950(10)°，V=850.74(2)?3。采用水热法，通过程序降温或自然降温的方法可得到化合物一水一硼酸二羟基十硼酸钡非线性光学晶体。该晶体粉末倍频效应约为KDP(KH2PO4)的2倍，其紫外截止边在190nm以下，可作为深紫外非线性光学晶体。该晶体的生长过程具有操作简单，成本低，原料毒性低，生长周期短，物化性质稳定等优点。本发明所述的一水一硼酸二羟基十硼酸钡非线性光学晶体在制备倍频发生器、上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器等非线性光学器件中得到广泛应用。 |
| 申请日期 | 2013-10-23 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/7085]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 潘世烈,蒋相站,韩健. 化合物一水一硼酸二羟基十硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途. 2015-04-29. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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