本发明涉及一种用于横向NPN晶体管辐射损伤的定量分离测试方法，该方法涉及装置是由栅控横向NPN双极晶体管和HP4142半导体参数分析仪组成。本发明在常规双极NPN晶体管的CE结钝化层表面附加栅电极，所加栅电极既不影响器件的双极晶体管特性，又使的器件具有MOS管的特性，测试过程中通过在器件的表面附加一定的电场，使得器件基区表面能级发生弯曲，从而获得表面栅极电压随基极电流的变化趋势。本发明使用附加栅电极特殊结构的栅控横向NPN双极晶体管，能够对横向NPN双极晶体管的电离辐射损伤进行测试和表征，能够定量揭示和分离双极横向NPN晶体管在遭受到电离辐射后的缺陷态数目。