一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法
文献类型：专利
| 作者 | 郭红霞; 陈伟; 郭旗 ; 何承发; 罗尹虹; 文林; 王玲; 张凤祁; 赵雯; 肖尧
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| 发表日期 | 2014-08-20 |
| 著作权人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法，包括以下步骤：1)制作单层结构复合材料：2)制作多层结构复合材料：3)测量电子束在复合材料中的透射系数：4)采用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算材料的理论透射系数：5)修正电子透射系数；6)采用屏蔽效果最好的复合材料，在器件的相应芯片处进行二次封装。本发明在保证屏蔽效果最好的同时，使封装质量最小，可提高航天器器件抗电离辐射总剂量效应。 |
| 申请日期 | 2014-05-22 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/6806]  |
| 专题 | 固体辐射物理研究室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭红霞,陈伟,郭旗,等. 一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法. 2014-08-20. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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