一种用于高功率激光测量的制冷型高信噪比探测装置
文献类型：专利
| 作者 | 余建成; 张伟刚; 寇经纬; 王彦超; 眭越 |
| 发表日期 | 2018-11-05 |
| 专利号 | CN201811308086.9 |
| 著作权人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 为解决现有探测装置动态范围小、信噪比低、可靠性较低、集成度低、功耗较大的问题，本发明提供了一种用于高功率激光测量的制冷型高信噪比探测装置，包括：置于真空腔体中的像元尺寸大于13um，读出噪声小于5e?，响应非均匀性小于1％的CCD芯片；为CCD芯片提供工作电压、根据设定参数为CCD芯片提供正确的驱动信号和驱动时序，及控制CCD芯片正常工作的CCD驱动单元；低噪声的信号调理转换单元；用于存储信号调理转换单元输出的数字信号的数据存储单元；用于控制CCD驱动单元、信号调理转换单元、数据存储单元工作，以及接收、解析、响应、执行上位机命令的控制单元；用于对CCD芯片进行制冷的制冷单元。本发明具有信噪比高、动态范围大、可靠性高、功耗低的优点。 |
| 公开日期 | 2019-02-22 |
| 申请日期 | 2018-11-05 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/31782]  |
| 专题 | 西安光学精密机械研究所_先进光学仪器研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 余建成,张伟刚,寇经纬,等. 一种用于高功率激光测量的制冷型高信噪比探测装置. CN201811308086.9. 2018-11-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。