电弧离子镀沉积工艺参数的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵彦辉; 史文博; 刘忠海; 刘占奇; 于宝海 |
| 刊名 | 真空
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| 出版日期 | 2018-11-25 |
| 卷号 | 55期号:06页码:49-59 |
| 关键词 | 电弧离子镀 弧电流 沉积气压 基体偏压 沉积温度 |
| 英文摘要 | 电弧离子镀是真空镀膜技术中最常用的技术之一,目前在科学研究及工业生产中都得到了长足发展。但是在薄膜沉积过程中的工艺参数如弧电流、沉积气压、沉积温度等对薄膜结构及性能的影响多分散于不同的文献中,不利于对这些参数的认识与深入理解。本文综述了电弧离子镀中的工艺参数的作用,这些参数包括弧电流、弧电压、沉积气压、靶基距、基体偏压、沉积温度及外加磁场等。通过对薄膜沉积过程中工艺参数的总结,可加深这些参数对薄膜结构及性能影响规律的理解,促进真空镀膜技术的工艺开发及技术进步。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/80276]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵彦辉,史文博,刘忠海,等. 电弧离子镀沉积工艺参数的影响[J]. 真空,2018,55(06):49-59. |
| APA | 赵彦辉,史文博,刘忠海,刘占奇,&于宝海.(2018).电弧离子镀沉积工艺参数的影响.真空,55(06),49-59. |
| MLA | 赵彦辉,et al."电弧离子镀沉积工艺参数的影响".真空 55.06(2018):49-59. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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