电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定TB9钛合金中微量Si
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郭莉莉; 那铎 |
| 刊名 | 中国无机分析化学
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| 出版日期 | 2018-02-15 |
| 期号 | 01页码:50-52 |
| 关键词 | Tb9钛合金 微量si 电感耦合等离子体原子发射光谱法 |
| 英文摘要 | 采用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法对TB9钛合金中微量Si的测定进行了研究。总结了基体对较灵敏Si的8条分析线的光谱干扰,发现从Si 185.067nm到Si 288.158nm均有不同基体元素的干扰,对微量Si的测定影响很大。经研究对比,选用背景相对低且信噪比高的Si 288.158nm线,以试剂加定量V为空白来校正基体V的光谱叠加干扰,标准加入法测定。方法检出限0.04μg/mL,标准加入校准曲线的线性相关系数0.999 9。样品加标回收率为100%~105%,相对标准偏差(n=8)小于2.0%。方法简便可靠,可获得满意的分析结果。 |
| 公开日期 | 2018-06-05 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/79247]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 通讯作者 | 郭莉莉 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭莉莉,那铎. 电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定TB9钛合金中微量Si[J]. 中国无机分析化学,2018(01):50-52. |
| APA | 郭莉莉,&那铎.(2018).电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定TB9钛合金中微量Si.中国无机分析化学(01),50-52. |
| MLA | 郭莉莉,et al."电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定TB9钛合金中微量Si".中国无机分析化学 .01(2018):50-52. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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