在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法
文献类型：专利
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| 作者 | 苏少坚 ; 汪巍 ; 成步文 ; 王启明 ; 张广泽 ; 胡炜玄 ; 白安琪 ; 薛春来 ; 左玉华 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN201010231169.X |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提供一种在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法，包括如下步骤：步骤1：在Si衬底上生长一层第一Ge材料层；步骤2：在第一Ge材料层上生长一层第二Ge材料层；步骤3：在第二Ge材料层上生长一层第一GeSn合金层；步骤4：在第一GeSn合金层上生长一层第二GeSn合金层，完成材料的生长。 |
| 公开日期 | 2011-08-30 ; 2011-08-30 ; 2011-08-30 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201010231169.X |
| 专利代理 | 汤保平 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21909]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 苏少坚,汪巍,成步文,等. 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法, 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法, 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法, 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法. CN201010231169.X. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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