半导体纳米柱阵列结构的制作方法
文献类型：专利
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| 作者 | 白安琪 ; 成步文 ; 左玉华 ; 王启明 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN201010183395.5 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 一种半导体纳米柱阵列结构的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在一半导体衬底上生长铝层；步骤2：对铝层进行阳极氧化，形成孔洞由表面直达半导体衬底，形成多孔氧化铝膜；步骤3：在多孔氧化铝膜的表面淀积金属，在多孔氧化铝膜的孔洞内形成金属点；步骤4：将多孔氧化铝膜湿法腐蚀掉，从而在半导体衬底上形成金属点阵列；步骤5：以金属点阵列为掩膜对半导体衬底进行刻蚀，去掉金属点阵列，在半导体衬底上形成半导体纳米柱阵列。 |
| 公开日期 | 2011-08-30 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201010183395.5 |
| 专利代理 | 汤保平 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21929]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 白安琪,成步文,左玉华,等. 半导体纳米柱阵列结构的制作方法, 半导体纳米柱阵列结构的制作方法. CN201010183395.5. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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