一种基于键合技术制作微波传输线的方法
文献类型：专利
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| 作者 | 曹权 ; 张岭梓
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| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN200910237093.9 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种基于键合技术制作微波传输线的方法，该方法包括：采用键合技术将外延片的外延材料层与键合基片键合在一起；去除外延片的衬底，露出外延片的外延材料层；对外延片的外延材料层进行刻蚀，制作外延器件，将微波传输线制作区域刻蚀至键合界面；在键合界面上制作作为电极传输线的微波传输线。利用本发明，在实现硅基器件集成的同时，可以更容易地制作高质量的微波传输线。 |
| 公开日期 | 2011-08-30 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200910237093.9 |
| 专利代理 | 周国城 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22015]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹权,张岭梓. 一种基于键合技术制作微波传输线的方法, 一种基于键合技术制作微波传输线的方法. CN200910237093.9. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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