提高聚合物太阳电池效率的制备方法
文献类型：专利
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| 作者 | 张兴旺 ; 尹志岗
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| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN201010554257.3 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 一种提高聚合物太阳电池效率的制备方法，电极采用电子束蒸发技术制备，制备方法包括如下步骤：在glass层上制作ITO层，作为太阳电池的阳极；采用光刻的方法，将ITO层一侧刻蚀掉，刻蚀深度到glass层的表面，防止ITO与电池的阴极连通；在暴露的glass层的上面及ITO层制备一层PEDOT:PSS层，作为太阳电池的空穴传输层；将ITO层一侧上面的PEDOT:PSS层擦除掉，擦除深度到ITO层的表面，使暴露的ITO层形成台面，该台面为阳极，与外电路连接；在PEDOT:PSS层上制备聚合物/富勒烯衍生物共混薄膜；在聚合物/富勒烯衍生物共混薄膜上制备Al薄膜；在Al薄膜上制备Al电极，该Al电极为阴极；退火，将制备完成的聚合物太阳电池退火，完成电极的制备。 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201010554257.3 |
| 专利代理 | 汤保平 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22179]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张兴旺,尹志岗. 提高聚合物太阳电池效率的制备方法, 提高聚合物太阳电池效率的制备方法. CN201010554257.3. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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