异质掩埋激光器的制作方法
文献类型：专利
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| 作者 | 王宝军 ; 朱洪亮 ; 赵玲娟 ; 王圩 ; 潘教青 ; 陈娓兮 ; 梁松 ; 边静 ; 安心 ; 王伟 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN201010196147.4 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 一种异质掩埋激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长有源层，作为激光器件的发射区；步骤2：在有源层的表面生长SiO2层，在刻蚀及MOCVD生长过程中起保护作用；步骤3：光刻，在SiO2层表面的两侧，将SiO2层和有源层刻蚀掉，使中间形成微米级脊型台面，光刻后的有源层成为激光器件的发射区；步骤4：用MOCVD技术，在脊型台面的两侧依次生长本征InP层、反向P-InP结电流限制层和N-InP结电流限制层，使脊型台面上形成沟道；步骤5：去掉脊型台面表面上的SiO2层；步骤6：用MOCVD技术，在沟道内、去掉SiO2层的脊型台面上及N-InP结电流限制层的表面生长P-InP电流注入层，完成器件的制作。 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201010196147.4 |
| 专利代理 | 汤保平 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22195]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王宝军,朱洪亮,赵玲娟,等. 异质掩埋激光器的制作方法, 异质掩埋激光器的制作方法. CN201010196147.4. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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