光伏型InAs量子点红外探测器结构
文献类型：专利
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| 作者 | 叶小玲 ; 孔金霞; 金鹏
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| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN200910242347.6 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 一种光伏型InAs量子点红外探测器结构，包括：一GaAs衬底；一GaAs底接触层制作在重掺杂或半绝缘GaAs衬底上；一未掺杂的下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上面的一侧，在GaAs底接触层的另一侧形成一台面；一5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层制作在未掺杂的下GaAs隔离层上，该5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层是实现红外探测的核心部位；一GaAs顶接触层制作在5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层上；该GaAs顶接触层进行高浓度掺杂从而实现与电极材料的欧姆接触；一上电极制作在GaAs顶接触层的中间部位；一下电极制作在GaAs底接触层上的台面上，该下电极可以收集电子，输出电流或电压信号；所述上电极与下电极一起能构成探测器检测回路。 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200910242347.6 |
| 专利代理 | 汤保平 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22237]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶小玲,孔金霞,金鹏. 光伏型InAs量子点红外探测器结构, 光伏型InAs量子点红外探测器结构. CN200910242347.6. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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