一种调节GaAs基二维光子晶体微腔共振模式的方法
文献类型：专利
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| 作者 | 叶小玲
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| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN200910083495.8 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种调节GaAs基二维光子晶体微腔共振模式的方法，包括如下步骤：A、制作GaAs基二维光子晶体；B、将GaAs基二维光子晶体置于过氧化氢中氧化，在GaAs表面形成一定厚度的氧化层薄膜；C、在常温下用质量浓度为18％的盐酸溶液腐蚀GaAs基二维光子晶体表面层的氧化层，用微区PL光谱测量光子晶体的微腔模式的变化；D、重复步骤B和C，直至获得光子晶体微腔模式与量子点发光波长相等，产生共振，停止腐蚀。利用本发明，通过精确调节光子晶体孔洞的方法可以达到准确控制光子晶体微腔模式的目的，同时通过化学腐蚀可以改善孔洞侧壁的平滑度，提高光子晶体微腔的品质因子。 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200910083495.8 |
| 专利代理 | 周国城 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22259]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶小玲. 一种调节GaAs基二维光子晶体微腔共振模式的方法, 一种调节GaAs基二维光子晶体微腔共振模式的方法. CN200910083495.8. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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