一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法
文献类型：专利
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| 作者 | 叶小玲
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| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN200910081986.9 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法，包括：在半绝缘砷化镓衬底上，外延生长一定厚度的AlGaAs牺牲层；在AlGaAs牺牲层上外延生长一定厚度的砷化镓；在砷化镓层上外延生长一定密度InAs量子点；外延生长一定厚度的砷化镓，将InAs量子点埋住；在砷化镓上采用等离子体化学气相淀积法(PECVD)镀上一层SiO2薄膜；在SiO2薄膜上悬涂一层电子束胶；采用电子束曝光法在电子束胶上制作光子晶体图形；采用反应离子刻蚀方法将电子束胶上的光子晶体图形转移至SiO2上，并去胶；采用扫描电镜(SEM)对样品进行测试，观测并计算光子晶体孔洞的垂直度。利用本发明，不用观察光子晶体孔洞截面，只测试光子晶体表面，便可测试出光子晶体孔洞侧壁垂直度。 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200910081986.9 |
| 专利代理 | 周国城 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22267]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶小玲. 一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法, 一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法. CN200910081986.9. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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