电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法
文献类型：专利
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| 作者 | 梁松 ; 孔端花 ; 朱洪亮 ; 王圩 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN200910078863.X |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法，包括：选择一磷化铟衬底；在磷化铟衬底上外延制作多量子阱有源区；在多量子阱有源区上制作一光栅；在多量子阱有源区和光栅上生长光限制层；在光限制层上生长电接触层；在电接触层上制作P面电极；在P面电极上横向制作出两条电极隔离沟，该两条电极隔离沟之间为自脉动激光器的第一分布反馈激光器，一侧为自脉动激光器的第二分布反馈激光器，另一侧为电吸收调制器；衬底减薄后在整个管芯的底部制作N面电极；在管芯的一端蒸镀高反射膜，另一端蒸镀抗反射薄膜，完成器件的制作。利用本发明，降低了ROF系统发射器的功率损耗和制作成本，提高了系统的稳定性。 |
| 公开日期 | 2011-08-31 ; 2011-08-31 ; 2011-08-31 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200910078863.X |
| 专利代理 | 周国城 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22277]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁松,孔端花,朱洪亮,等. 电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法, 电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法, 电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法, 电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法. CN200910078863.X. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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