一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法
文献类型：专利
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| 作者 | 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN200910241697.0 ; CN200910241697.0 |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利类型 | 发明 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法，在蓝宝石、SiC、GaN等衬底上外延生长的n型和p型III-V族氮化物，使用SiH4和/或Cp2Mg作为掺杂剂，使用交替供源气体的方式来实现n型和p型的有效掺杂。利用本发明，实现了利用Si和Mg对III-V氮化物进行n型和p型的有效掺杂，不但能够改善材料的晶体质量，降低材料的位错，而且能够提高III-V氮化物的n型和p型的掺杂效率和浓度。在提高了n型和p型III-V氮化物的掺杂效率和浓度之后，可以对GaN基LED和LD的n型和p型掺杂区域进行减薄，提高了利用MOCVD外延的效率，节约了外延的材料和消耗的能源。 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法，在蓝宝石、SiC、GaN等衬底上外延生长的n型和p型III-V族氮化物，使用SiH4和/或Cp2Mg作为掺杂剂，使用交替供源气体的方式来实现n型和p型的有效掺杂。利用本发明，实现了利用Si和Mg对III-V氮化物进行n型和p型的有效掺杂，不但能够改善材料的晶体质量，降低材料的位错，而且能够提高III-V氮化物的n型和p型的掺杂效率和浓度。在提高了n型和p型III-V氮化物的掺杂效率和浓度之后，可以对GaN基LED和LD的n型和p型掺杂区域进行减薄，提高了利用MOCVD外延的效率，节约了外延的材料和消耗的能源。 |
| 公开日期 | 2011-08-31 ; 2011-08-31 |
| 语种 | 中文 ; 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 专利申请号 | CN200910241697.0 |
| 专利代理 | 周国城 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22163]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 纪攀峰,李京波,闫建昌,等. 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法, 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法, 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法. CN200910241697.0, CN200910241697.0. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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