一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法
文献类型：专利
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| 作者 | 胡理科 ; 熊聪 ; 祁琼 ; 王冠 ; 马骁宇 ; 刘素平 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN201010157652.8 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法，包括：将解理好的激光器bar条放入硫化氨溶液中浸泡，对激光器bar条进行钝化处理，并在激光器bar条的前腔面和后腔面上沉积一层硫钝化层；用去离子水冲洗bar条，并用丙酮、异丙醇脱水后再用氮气吹干，然后装上镀膜架，放入MOCVD仪器中；对MOCVD仪器抽真空，开烘烤加热，并通入保护气体；先升高衬底温度，将硫钝化层中的非晶硫层升华，然后通入生长源，在硫饨化层上外延生长一层ZnSe钝化保护薄膜；降温后取出镀膜架，再放入镀膜机中，在激光器bar条的钝化保护薄膜之上镀上增透膜和高反膜。本发明有效去除了腔面氧化层和表面态，减少了对腔面的损伤。 |
| 公开日期 | 2011-08-30 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201010157652.8 |
| 专利代理 | 周国城 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22093]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子器件国家工程中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡理科,熊聪,祁琼,等. 一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法, 一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法. CN201010157652.8. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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