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闪耀光栅外腔半导体激光器及其准直方法

文献类型:专利

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作者何春九; 曾华林; 何军; 周燕
专利国别中国
专利号CN200910242348.0 ; CN200910242348.0
著作权人中国科学院半导体研究所
专利类型发明
国家中国
文献子类发明
权利人中国科学院半导体研究所
中文摘要一种闪耀光栅外腔半导体激光器,包括:一激光器;一自聚焦透镜,该自聚焦透镜位于激光器的光路上;一压电陶瓷,该压电陶瓷位于自聚焦透镜之后的激光器的光路上,在压电陶瓷的表面缠绕有光纤;一准直透镜,该准直透镜位于压电陶瓷之后的激光器的光路上;一闪耀光栅,该闪耀光栅呈一预定角度位于准直透镜之后的激光器的光路上;一控制模块,该控制模块与压电陶瓷上的光纤连接。
英文摘要一种闪耀光栅外腔半导体激光器,包括:一激光器;一自聚焦透镜,该自聚焦透镜位于激光器的光路上;一压电陶瓷,该压电陶瓷位于自聚焦透镜之后的激光器的光路上,在压电陶瓷的表面缠绕有光纤;一准直透镜,该准直透镜位于压电陶瓷之后的激光器的光路上;一闪耀光栅,该闪耀光栅呈一预定角度位于准直透镜之后的激光器的光路上;一控制模块,该控制模块与压电陶瓷上的光纤连接。
公开日期2011-08-31 ; 2011-08-31
语种中文 ; 中文
状态公开
专利申请号CN200910242348.0
专利代理汤保平
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22527]  
专题半导体研究所_光电系统实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
何春九,曾华林,何军,等. 闪耀光栅外腔半导体激光器及其准直方法, 闪耀光栅外腔半导体激光器及其准直方法, 闪耀光栅外腔半导体激光器及其准直方法. CN200910242348.0, CN200910242348.0.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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