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闪耀光栅外腔半导体激光器及其准直方法

文献类型:专利

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作者何春九; 曾华林; 何军; 周燕
专利国别中国
专利号CN200910092877.7 ; CN200910092877.7
著作权人中国科学院半导体研究所
专利类型发明
国家中国
文献子类发明
权利人中国科学院半导体研究所
中文摘要一种闪耀光栅外腔半导体激光器及其准直方法,该闪耀光栅外腔半导体激光器,包括:一激光器;一准直系统,该准直系统的输入端与激光器的输出端连接;一闪耀光栅,该闪耀光栅接收准直系统发出的均匀平行光,经闪耀光栅的反射,形成1级衍射光和0级光,将1级衍射光沿入射光路反馈至准直系统,将0级光输出。
英文摘要一种闪耀光栅外腔半导体激光器及其准直方法,该闪耀光栅外腔半导体激光器,包括:一激光器;一准直系统,该准直系统的输入端与激光器的输出端连接;一闪耀光栅,该闪耀光栅接收准直系统发出的均匀平行光,经闪耀光栅的反射,形成1级衍射光和0级光,将1级衍射光沿入射光路反馈至准直系统,将0级光输出。
公开日期2011-08-31 ; 2011-08-31
语种中文 ; 中文
状态公开
专利申请号CN200910092877.7
专利代理汤保平
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22539]  
专题半导体研究所_光电系统实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
何春九,曾华林,何军,等. 闪耀光栅外腔半导体激光器及其准直方法, 闪耀光栅外腔半导体激光器及其准直方法, 闪耀光栅外腔半导体激光器及其准直方法. CN200910092877.7, CN200910092877.7.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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