Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法
文献类型：专利
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| 作者 | 冉军学 ; 王晓亮 ; 李建平 ; 胡国新 ; 肖红领 ; 王翠梅 ; 杨翠柏 ; 李晋闽 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN200910236706.7 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 一种III-氮化物半导体材料pn结的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上生长p型GaN基材料；步骤2：在p型GaN基材料上面外延非掺杂GaN基材料；步骤3：在非掺杂的GaN基材料上生长非掺杂薄层；步骤4：在非掺杂薄层上生长n型GaN基材料。 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200910236706.7 |
| 专利代理 | 汤保平 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22325]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体材料科学中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冉军学,王晓亮,李建平,等. Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法, Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法. CN200910236706.7. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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