制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法
文献类型：专利
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| 作者 | 王晓亮 ; 张明兰 ; 肖红领 ; 王翠梅 ; 唐健 ; 冯春 ; 姜丽娟 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN200810226288.9 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，包括以下步骤：在衬底上生长氮化镓成核层；在氮化镓成核层上生长氮化镓缓冲层；在氮化镓缓冲层上生长高迁移率氮化镓层；在高迁移率氮化镓层上生长氮化铝插入层；在氮化铝插入层上生长铝镓氮势垒层；在铝镓氮势垒层上生长氮化铟盖帽层；刻蚀氮化铟盖帽层；制备源、漏欧姆接触；制备栅金属；电极金属加厚。利用本发明，降低了制备成本，简化了制备工艺，提高了工艺的可靠性。 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200810226288.9 |
| 专利代理 | 周国城 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22335]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体材料科学中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓亮,张明兰,肖红领,等. 制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法, 制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法. CN200810226288.9. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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