基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池
文献类型:专利
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作者 | 马绍栋 ; 郑婉华 ; 陈微 ; 周文君 ; 刘安金 ; 彭红玲 |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN201010196135.1 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
中文摘要 | 本发明提供一种基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池,包括:一下电极;一N型材料层,该N型材料层制作在下电极上;一第一TCO薄膜层,该第一TCO薄膜层制作在N型材料层上;一第二TCO薄膜层,该第二TCO薄膜层键合在第一TCO薄膜层上;一P型材料层,该P型材料层制作在第二TCO薄膜层上;一上图形电极,该上图形电极制作在P型材料层上。 |
公开日期 | 2011-08-31 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN201010196135.1 |
专利代理 | 汤保平 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22431] ![]() |
专题 | 半导体研究所_纳米光电子实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 马绍栋,郑婉华,陈微,等. 基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池, 基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池. CN201010196135.1. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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