InP-based deep-ridge NPN transistor laser
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liang S ; Kong DH ; Zhu HL ; Zhao LJ ; Pan JQ ; Wang W |
| 刊名 | optics letters
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 36期号:16页码:3206-3208 |
| 关键词 | OPERATION EPITAXY |
| ISSN号 | 0146-9592 |
| 通讯作者 | liang, s (reprint author), chinese acad sci, inst semicond, key lab semicond mat, beijing 100083, peoples r china. liangsong@semi.ac.cn |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 资助信息 | national natural science foundation of china (nsfc)[60706009, 61006044, 60736036, 61021003]; national 973 program[2011cb301702]; national 863 project[2009aa03z442] |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2011-09-14 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22613]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liang S,Kong DH,Zhu HL,et al. InP-based deep-ridge NPN transistor laser[J]. optics letters,2011,36(16):3206-3208. |
| APA | Liang S,Kong DH,Zhu HL,Zhao LJ,Pan JQ,&Wang W.(2011).InP-based deep-ridge NPN transistor laser.optics letters,36(16),3206-3208. |
| MLA | Liang S,et al."InP-based deep-ridge NPN transistor laser".optics letters 36.16(2011):3206-3208. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。