InAs/GaSb超晶格体系非制冷红外探测材料研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 吴雷学 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2008-05-30 |
| 授予单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 导师 | 汪韬 |
| 关键词 | MOCVD 超晶格 俄歇复合 拉曼散射 界面层 原子力显微镜 表面形貌 光致发光 |
| 学位专业 | 物理电子学 |
| 中文摘要 | 采用低压金属有机物化学气相沉积（LP-MOCVD）设备，在（100）面GaSb单晶衬底上生长了Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料，它可用来制作非制冷红外探测器。分析了InAs/GaSb超晶格红外材料的生长质量情况，对器件材料结构进行了表征，对材料结构进行了理论分析和优化生长。设计合适的InAs和GaSb的周期厚度，以便有效地抑制俄歇复合。对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料进行了X射线双晶衍射测量，得到外延层与衬底材料的晶格失配仅为-0.43%。利用拉曼散射谱研究了材料的界面层特性，从而可通过选择相应的界面结构来减小界面处的应变，提高材料的生长质量。对于材料的表面形貌，则使用原子力显微镜进行了表征，分析了不同的生长参数对表面形貌的影响，从而可以优化生长参数，使其达到最佳表面形貌的生长。最后，对所生长的InAs/GaSb超晶格结构做了光致发光谱的检测，在77K的温度下得到峰值波长为3.25微米，说明可以作为甲烷气体探测的潜在材料。 |
| 学科主题 | 物理电子学 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-10-09 |
| 页码 | 65 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/12218]  |
| 专题 | 西安光学精密机械研究所_中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴雷学. InAs/GaSb超晶格体系非制冷红外探测材料研究[D]. 中国科学院西安光学精密机械研究所. 2008. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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