第三代像增强器研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 李晓峰 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2001 |
| 授予单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所. |
| 导师 | 侯洵 |
| 关键词 | 像增强器 光电阴极 微通道板 外延 衍射 品格 半峰宽 倒易点 应力 应变 |
| 学位专业 | 光学 |
| 中文摘要 | 微光夜视仪的出现使人们的视觉从白昼延伸到了黑夜。微光夜视仪在军事上的特殊用途使得人们对微光夜视仪核心器件——微光像增强器——的研究到目前为止仍在进行。在微光夜视仪出现的近半个世纪里，微光像增强器的研究取得了长足的进展，已从第一代发展到了第四代。这篇论文介绍第三代像增强器的研究成果及其相关内容。GaAs具有闪锌矿结构，是一种直接带隙半导体。透射式GaAs光电阴极常用(100)面制作。关于GaAs表面Cs-O层的结构到目前为止还存在争论，对透射式GaAs光电阴极光电子逸出机理的解释也还有多种。透射式GaAs光电阴极制作的关键是AlGaAs／GaAs四层结构外延层的MOCVD生长，影响AlGaAs／GaAs 外延层结晶质量的主要因素是反应室结构、气体纯度以及衬底质量。高分辨力射线衍射仪是半导体外延层结构分析的有力工具，利用它可以确定外延层的晶格常数、应变结构、组份和应力等。由于AlGaAs／GaAs外延层在高温下生长，并且AlGaAs与GaAs又存在热膨胀系数失配，所以AlGaAs外延层和GaAs外延层的晶格在常温下就会发生不同程度的收缩，产生相应的热应变，因此外延层的热应变就主要由外延层的生长温度所决定。生长温度不同，在常温下外延层所发生的热应变结构也就不同。出于AlGaAs／GaAs外延层存在热应变，所以AlGaAs外延层的衍射角大小并不完全代表Al组份的高低。各外延层之间存在的热应力所引起的外延层晶面间距变化梯度、晶面弯曲所引起的晶面间距变化梯度以及各外延层之间x射线衍射的非相干叠加都会使AlGaAs／GaAs外延层x射线衍射摇摆曲线衍射峰的半峰宽展宽。因此透射式GaAs光电阴极AlGaAs／GaAs外延层摇摆曲线半峰宽(FWHM)的大小并不能完全代表外延层结晶质量的好坏。由于AlGaAs／GaAs外延层的热膨胀系数与K4玻璃的热膨胀系数不一样，因此AlGaAs／GaAs外延层同K4玻璃窗热粘结后，它们之间就会存在热应力。在热应力的作用下，玻璃和外延层都会发生弯曲，从而造成外延层x射线衍射摇摆曲线的衍射峰沿ω方向展宽。减小GaAs光电阴极组件AlGaAs／GaAs外延层晶面弯曲程度的方法是使窗玻璃的热膨胀系数尽量同AlGaAs／GaAs外延层的热膨胀系数匹配。透射式GaAs光电阴极组件的GaAs表面在真空烘烤的过程中不仅Ga被氧化，而且As也被氧化。一旦GaAs表面的Ga或As被氧化，就会对GaAs表面的热清洁工艺和激活工艺产生不良的影响。因此GaAs光电阴极组件在热清洁和激活之前不适宜进行真空烘烤，即使要烘烤，也要在真空系统达到10~(-8)Pa以上的真空度时才能进行。这篇论文还介绍MCP离子阻挡膜的制作工艺、冷填铟工艺、三代管管壳设计以及双铟封压封装置设计的有关问题。经过本论文的工作，最后所制作的三代管光电阴极灵敏度的典型值约为300μA／lm。 |
| 学科主题 | 光学 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-10-09 |
| 页码 | 125 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/12436]  |
| 专题 | 西安光学精密机械研究所_中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李晓峰. 第三代像增强器研究[D]. 中国科学院西安光学精密机械研究所.. 2001. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。