场助半导体光电阴极的Monte-Carlo模拟与实验研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 程军 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 1994 |
| 授予单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所. |
| 导师 | 徐大纶 |
| 关键词 | 场助阴极 Monte-Carlo方法 肖特基结 光电阴极激活 |
| 学位专业 | 电子离子真空物理 |
| 中文摘要 | 本文在理论上用Monte-Carlo方法对InP场助半导体光电阴极的时间响应特性进行了模拟计算，得出施加偏压能使半导体光电阴极的时间响应得到压缩。结论：场助阴极在微微秒高速探测领域是一种良好的阴极。在实验上，详细研究了场阴极的制备工艺，对激活实验的氧源和铯源做了改进；对肖特基结在场助阴极制备过程中的热退化的问题；利用真空扩散焊实现了阴极片和玻璃的粘接；激活了InP和InGaAsP场助半导体阴极。 |
| 学科主题 | 电子离子真空物理 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-10-09 |
| 页码 | 85 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/12798]  |
| 专题 | 西安光学精密机械研究所_中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程军. 场助半导体光电阴极的Monte-Carlo模拟与实验研究[D]. 中国科学院西安光学精密机械研究所.. 1994. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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