半导体激光器电光取样的理论及实验研究
文献类型:学位论文
作者 | 王云才 |
学位类别 | 硕士 |
答辩日期 | 1994 |
授予单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所. |
导师 | 王贤华 |
关键词 | 光电导开关 电光取样 增益开关半导体激光器 超短电脉冲产生及测量 |
学位专业 | 电子离子与真空物理 |
中文摘要 | 本文工作包括超快电脉冲的产生及测量两部分。首先是产生电脉冲。设计并制做出以半绝缘Cr:CaAs为衬底的具有微带结构和共面传输线结构的两种类型的光电导开关。从理论上给出了光电导开关导通的简化模型。其次,建立了半导体激光器电光取样系统,测量了光电探测器的快速电脉冲响应。简单概述了电光取样技术的提出、发展及应用,对其测量原理进行系统的分析。 |
学科主题 | 电子离子与真空物理 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2011-10-09 |
页码 | 64 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/12800] ![]() |
专题 | 西安光学精密机械研究所_中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王云才. 半导体激光器电光取样的理论及实验研究[D]. 中国科学院西安光学精密机械研究所.. 1994. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。