超晶格插入层对Si基上GaN薄膜位错密度的影响(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liu Xiaofeng(刘晓峰) ; Feng Yuchun(冯玉春) ; Peng Dongsheng(彭冬生) |
| 刊名 | 电子器件
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 31期号:1页码:61-64 |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 学科主题 | 物理科学和化学 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-10-08 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/11665]  |
| 专题 | 西安光学精密机械研究所_研究生部 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu Xiaofeng(刘晓峰),Feng Yuchun(冯玉春),Peng Dongsheng(彭冬生). 超晶格插入层对Si基上GaN薄膜位错密度的影响(英文)[J]. 电子器件,2008,31(1):61-64. |
| APA | Liu Xiaofeng,Feng Yuchun,&Peng Dongsheng.(2008).超晶格插入层对Si基上GaN薄膜位错密度的影响(英文).电子器件,31(1),61-64. |
| MLA | Liu Xiaofeng,et al."超晶格插入层对Si基上GaN薄膜位错密度的影响(英文)".电子器件 31.1(2008):61-64. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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