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碳化硅薄膜制备及其场发射特性

文献类型:期刊论文

作者Zhao Wu(赵武) ; Zhang Zhiyong(张志勇) ; Yan Junfeng(闫军锋) ; 贠 Jiangni(贠江妮) ; Deng Zhouhu(邓周虎)
刊名天津大学学报
出版日期2008
卷号41期号:1页码:28-32
ISSN号1006-4982
其他题名Fabrication of silicon carbide thin films and their field emission properties
学科主题物理科学和化学
收录类别EI ; CSCD
语种中文
公开日期2011-10-08
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/11739]  
专题西安光学精密机械研究所_研究生部
推荐引用方式
GB/T 7714
Zhao Wu(赵武),Zhang Zhiyong(张志勇),Yan Junfeng(闫军锋),等. 碳化硅薄膜制备及其场发射特性[J]. 天津大学学报,2008,41(1):28-32.
APA Zhao Wu,Zhang Zhiyong,Yan Junfeng,贠 Jiangni,&Deng Zhouhu.(2008).碳化硅薄膜制备及其场发射特性.天津大学学报,41(1),28-32.
MLA Zhao Wu,et al."碳化硅薄膜制备及其场发射特性".天津大学学报 41.1(2008):28-32.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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