Improved performance of 1.3-mu m InAs-GaAs quantum dot lasers by direct Si doping
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zun-Ren Lv; Zhong-Kai Zhang; Xiao-Guang Yang; Tao Yang |
| 刊名 | APPLIED PHYSICS LETTERS
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| 出版日期 | 2018 |
| 卷号 | 113页码:011105 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28959]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zun-Ren Lv; Zhong-Kai Zhang; Xiao-Guang Yang; Tao Yang. Improved performance of 1.3-mu m InAs-GaAs quantum dot lasers by direct Si doping[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2018,113:011105. |
| APA | Zun-Ren Lv; Zhong-Kai Zhang; Xiao-Guang Yang; Tao Yang.(2018).Improved performance of 1.3-mu m InAs-GaAs quantum dot lasers by direct Si doping.APPLIED PHYSICS LETTERS,113,011105. |
| MLA | Zun-Ren Lv; Zhong-Kai Zhang; Xiao-Guang Yang; Tao Yang."Improved performance of 1.3-mu m InAs-GaAs quantum dot lasers by direct Si doping".APPLIED PHYSICS LETTERS 113(2018):011105. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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