Enhancing oxidation rate of 4H–SiC by oxygen ion implantation
文献类型：期刊论文
| 作者 | Min Liu; Shuyuan Zhang; Xiang Yang; Xue Chen; Zhongchao Fan; Xiaodong Wang; Fuhua Yang; Chao Ma; Zhi He |
| 刊名 | Journal of Materials Science
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| 出版日期 | 2018 |
| 卷号 | 54期号:2页码:1147-1152 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/29022]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Min Liu;Shuyuan Zhang;Xiang Yang;Xue Chen;Zhongchao Fan;Xiaodong Wang;Fuhua Yang;Chao Ma;Zhi He. Enhancing oxidation rate of 4H–SiC by oxygen ion implantation[J]. Journal of Materials Science,2018,54(2):1147-1152. |
| APA | Min Liu;Shuyuan Zhang;Xiang Yang;Xue Chen;Zhongchao Fan;Xiaodong Wang;Fuhua Yang;Chao Ma;Zhi He.(2018).Enhancing oxidation rate of 4H–SiC by oxygen ion implantation.Journal of Materials Science,54(2),1147-1152. |
| MLA | Min Liu;Shuyuan Zhang;Xiang Yang;Xue Chen;Zhongchao Fan;Xiaodong Wang;Fuhua Yang;Chao Ma;Zhi He."Enhancing oxidation rate of 4H–SiC by oxygen ion implantation".Journal of Materials Science 54.2(2018):1147-1152. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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