Heavily Boron-Doped Silicon Layer for the Fabrication of Nanoscale Thermoelectric Devices
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhe Ma ; Yang Liu ; Lingxiao Deng ; Mingliang Zhang ; Shuyuan Zhang ; Jing Ma ; Peishuai Song ; Qing Liu ; An Ji ; Fuhua Yang ; Xiaodong Wang |
| 刊名 | NANOMATERIALS
 |
| 出版日期 | 2018 |
| 卷号 | 8期号:2页码:77 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/29023]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhe Ma ; Yang Liu ; Lingxiao Deng ; Mingliang Zhang ; Shuyuan Zhang ; Jing Ma ; Peishuai Song ; Qing Liu ; An Ji ; Fuhua Yang ; Xiaodong Wang. Heavily Boron-Doped Silicon Layer for the Fabrication of Nanoscale Thermoelectric Devices[J]. NANOMATERIALS,2018,8(2):77. |
| APA | Zhe Ma ; Yang Liu ; Lingxiao Deng ; Mingliang Zhang ; Shuyuan Zhang ; Jing Ma ; Peishuai Song ; Qing Liu ; An Ji ; Fuhua Yang ; Xiaodong Wang.(2018).Heavily Boron-Doped Silicon Layer for the Fabrication of Nanoscale Thermoelectric Devices.NANOMATERIALS,8(2),77. |
| MLA | Zhe Ma ; Yang Liu ; Lingxiao Deng ; Mingliang Zhang ; Shuyuan Zhang ; Jing Ma ; Peishuai Song ; Qing Liu ; An Ji ; Fuhua Yang ; Xiaodong Wang."Heavily Boron-Doped Silicon Layer for the Fabrication of Nanoscale Thermoelectric Devices".NANOMATERIALS 8.2(2018):77. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。