Asymmetric resistive switching effect in?ZnO/Nb:SrTiO 3 heterojunctions
文献类型：期刊论文
| 作者 | Caihong Jia ; Yong Ren ; Guang Yang ; Jiachen Li ; Yonghai Chen ; Weifeng Zhang |
| 刊名 | Applied Physics A
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| 出版日期 | 2018 |
| 卷号 | 124页码:189 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/29094]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Caihong Jia ;Yong Ren ;Guang Yang ; Jiachen Li ; Yonghai Chen ;Weifeng Zhang. Asymmetric resistive switching effect in?ZnO/Nb:SrTiO 3 heterojunctions[J]. Applied Physics A,2018,124:189. |
| APA | Caihong Jia ;Yong Ren ;Guang Yang ; Jiachen Li ; Yonghai Chen ;Weifeng Zhang.(2018).Asymmetric resistive switching effect in?ZnO/Nb:SrTiO 3 heterojunctions.Applied Physics A,124,189. |
| MLA | Caihong Jia ;Yong Ren ;Guang Yang ; Jiachen Li ; Yonghai Chen ;Weifeng Zhang."Asymmetric resistive switching effect in?ZnO/Nb:SrTiO 3 heterojunctions".Applied Physics A 124(2018):189. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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