Defect-free InAsSb nanowire arrays on Si substrates grown by selective-area metal– organic chemical vapor deposition
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xiaoguang Yang ; Wenna Du; Xianghai Ji ; Xingwang Zhang; Tao Yang |
| 刊名 | Nanotechnology
 |
| 出版日期 | 2018 |
| 卷号 | 29页码:405601 (6pp) |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/29126]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xiaoguang Yang ;Wenna Du;Xianghai Ji ; Xingwang Zhang;Tao Yang. Defect-free InAsSb nanowire arrays on Si substrates grown by selective-area metal– organic chemical vapor deposition[J]. Nanotechnology,2018,29:405601 (6pp). |
| APA | Xiaoguang Yang ;Wenna Du;Xianghai Ji ; Xingwang Zhang;Tao Yang.(2018).Defect-free InAsSb nanowire arrays on Si substrates grown by selective-area metal– organic chemical vapor deposition.Nanotechnology,29,405601 (6pp). |
| MLA | Xiaoguang Yang ;Wenna Du;Xianghai Ji ; Xingwang Zhang;Tao Yang."Defect-free InAsSb nanowire arrays on Si substrates grown by selective-area metal– organic chemical vapor deposition".Nanotechnology 29(2018):405601 (6pp). |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。