Zero-bias 32 Gb/s evanescently coupled InGaAs/InP UTC-PDs
文献类型:期刊论文
作者 | Siwei Sun; Song Liang ; Xiao Xie; Junjie Xu; Lu Guo; Hongliang Zhu; Wei Wang |
刊名 | OPTICS AND LASER TECHNOLOGY
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出版日期 | 2018 |
卷号 | 101页码:457–461 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/29148] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Siwei Sun; Song Liang ; Xiao Xie; Junjie Xu; Lu Guo; Hongliang Zhu; Wei Wang. Zero-bias 32 Gb/s evanescently coupled InGaAs/InP UTC-PDs[J]. OPTICS AND LASER TECHNOLOGY,2018,101:457–461. |
APA | Siwei Sun; Song Liang ; Xiao Xie; Junjie Xu; Lu Guo; Hongliang Zhu; Wei Wang.(2018).Zero-bias 32 Gb/s evanescently coupled InGaAs/InP UTC-PDs.OPTICS AND LASER TECHNOLOGY,101,457–461. |
MLA | Siwei Sun; Song Liang ; Xiao Xie; Junjie Xu; Lu Guo; Hongliang Zhu; Wei Wang."Zero-bias 32 Gb/s evanescently coupled InGaAs/InP UTC-PDs".OPTICS AND LASER TECHNOLOGY 101(2018):457–461. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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