Impurity band conduction in Mn-doped p type InAs single crystal
文献类型:期刊论文
作者 | Guiying Shen ; Youwen Zhao ; Yongbiao Bai ; Ding Yu ; Jingming Liu ; Hui Xie ; Zhiyuan Dong ; Jun Yang ; Fengyun Yang ; Fenghua Wang |
刊名 | Materials Science in Semiconductor Processing |
出版日期 | 2018 |
卷号 | 84页码:115-118 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/29171] |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Guiying Shen ; Youwen Zhao ; Yongbiao Bai ; Ding Yu ; Jingming Liu ; Hui Xie ; Zhiyuan Dong ; Jun Yang ; Fengyun Yang ; Fenghua Wang. Impurity band conduction in Mn-doped p type InAs single crystal[J]. Materials Science in Semiconductor Processing,2018,84:115-118. |
APA | Guiying Shen ; Youwen Zhao ; Yongbiao Bai ; Ding Yu ; Jingming Liu ; Hui Xie ; Zhiyuan Dong ; Jun Yang ; Fengyun Yang ; Fenghua Wang.(2018).Impurity band conduction in Mn-doped p type InAs single crystal.Materials Science in Semiconductor Processing,84,115-118. |
MLA | Guiying Shen ; Youwen Zhao ; Yongbiao Bai ; Ding Yu ; Jingming Liu ; Hui Xie ; Zhiyuan Dong ; Jun Yang ; Fengyun Yang ; Fenghua Wang."Impurity band conduction in Mn-doped p type InAs single crystal".Materials Science in Semiconductor Processing 84(2018):115-118. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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