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Impurity band conduction in Mn-doped p type InAs single crystal

文献类型:期刊论文

作者Guiying Shen ;   Youwen Zhao ;   Yongbiao Bai ;   Ding Yu ;   Jingming Liu ;   Hui Xie ;   Zhiyuan Dong ;   Jun Yang ;   Fengyun Yang ;   Fenghua Wang
刊名Materials Science in Semiconductor Processing
出版日期2018
卷号84页码:115-118
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/29171]  
专题半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
Guiying Shen ; Youwen Zhao ; Yongbiao Bai ; Ding Yu ; Jingming Liu ; Hui Xie ; Zhiyuan Dong ; Jun Yang ; Fengyun Yang ; Fenghua Wang. Impurity band conduction in Mn-doped p type InAs single crystal[J]. Materials Science in Semiconductor Processing,2018,84:115-118.
APA Guiying Shen ; Youwen Zhao ; Yongbiao Bai ; Ding Yu ; Jingming Liu ; Hui Xie ; Zhiyuan Dong ; Jun Yang ; Fengyun Yang ; Fenghua Wang.(2018).Impurity band conduction in Mn-doped p type InAs single crystal.Materials Science in Semiconductor Processing,84,115-118.
MLA Guiying Shen ; Youwen Zhao ; Yongbiao Bai ; Ding Yu ; Jingming Liu ; Hui Xie ; Zhiyuan Dong ; Jun Yang ; Fengyun Yang ; Fenghua Wang."Impurity band conduction in Mn-doped p type InAs single crystal".Materials Science in Semiconductor Processing 84(2018):115-118.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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