Robust emergence of a topological Hall effect in MnGa/heavy metal bilayers
文献类型：期刊论文
| 作者 | K. K. Meng; X. P. Zhao; P. F. Liu; Q. Liu; Y. Wu; Z. P. Li; J. K. Chen; J. Miao; X. G. Xu; J. H. Zhao; Y. Jiang |
| 刊名 | PHYSICAL REVIEW B
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| 出版日期 | 2018 |
| 卷号 | 97期号:6页码:060407 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/29005]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | K. K. Meng; X. P. Zhao; P. F. Liu; Q. Liu; Y. Wu; Z. P. Li; J. K. Chen; J. Miao; X. G. Xu; J. H. Zhao; Y. Jiang. Robust emergence of a topological Hall effect in MnGa/heavy metal bilayers[J]. PHYSICAL REVIEW B,2018,97(6):060407. |
| APA | K. K. Meng; X. P. Zhao; P. F. Liu; Q. Liu; Y. Wu; Z. P. Li; J. K. Chen; J. Miao; X. G. Xu; J. H. Zhao; Y. Jiang.(2018).Robust emergence of a topological Hall effect in MnGa/heavy metal bilayers.PHYSICAL REVIEW B,97(6),060407. |
| MLA | K. K. Meng; X. P. Zhao; P. F. Liu; Q. Liu; Y. Wu; Z. P. Li; J. K. Chen; J. Miao; X. G. Xu; J. H. Zhao; Y. Jiang."Robust emergence of a topological Hall effect in MnGa/heavy metal bilayers".PHYSICAL REVIEW B 97.6(2018):060407. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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