Suppressing the excess OFF-state current of short-channel InAs nanowire field-effect transistors by nanoscale partial-gate
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wenyuan Yang ; Dong Pan ; Rui Shen ; Xinzhe Wang ; Jianhua Zhao ; Qing Chen |
| 刊名 | NANOTECHNOLOGY
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| 出版日期 | 2018 |
| 卷号 | 29期号:41页码:415203 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/29206]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wenyuan Yang ; Dong Pan ; Rui Shen ; Xinzhe Wang ; Jianhua Zhao ; Qing Chen. Suppressing the excess OFF-state current of short-channel InAs nanowire field-effect transistors by nanoscale partial-gate[J]. NANOTECHNOLOGY,2018,29(41):415203. |
| APA | Wenyuan Yang ; Dong Pan ; Rui Shen ; Xinzhe Wang ; Jianhua Zhao ; Qing Chen.(2018).Suppressing the excess OFF-state current of short-channel InAs nanowire field-effect transistors by nanoscale partial-gate.NANOTECHNOLOGY,29(41),415203. |
| MLA | Wenyuan Yang ; Dong Pan ; Rui Shen ; Xinzhe Wang ; Jianhua Zhao ; Qing Chen."Suppressing the excess OFF-state current of short-channel InAs nanowire field-effect transistors by nanoscale partial-gate".NANOTECHNOLOGY 29.41(2018):415203. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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