Gate-tunable and high optoelectronic performance in multilayer WSe 2 P–N diode
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yujue Yang; Nengjie Huo; Jingbo Li |
| 刊名 | Journal Of Materials Chemistry C
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| 出版日期 | 2018 |
| 卷号 | 6期号:43页码:11673-11678 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28915]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yujue Yang;Nengjie Huo;Jingbo Li. Gate-tunable and high optoelectronic performance in multilayer WSe 2 P–N diode[J]. Journal Of Materials Chemistry C,2018,6(43):11673-11678. |
| APA | Yujue Yang;Nengjie Huo;Jingbo Li.(2018).Gate-tunable and high optoelectronic performance in multilayer WSe 2 P–N diode.Journal Of Materials Chemistry C,6(43),11673-11678. |
| MLA | Yujue Yang;Nengjie Huo;Jingbo Li."Gate-tunable and high optoelectronic performance in multilayer WSe 2 P–N diode".Journal Of Materials Chemistry C 6.43(2018):11673-11678. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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