Xe/Pb离子辐照对注碳SiO_2发光特性的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘纯宝; 陈兰芳; 蔡鲁刚 |
| 刊名 | 功能材料
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| 出版日期 | 2018-01-30 |
| 卷号 | 49页码:1055-1058+1063 |
| 其他题名 | Light emitting formation in C-doped SiO_2 after Xe/Pb-ion irradiations |
| 英文摘要 | 先用100keV碳离子注入非晶态SiO_2薄膜,再用高能Xe或Pb离子辐照对样品室温下辐照,然后用光谱仪对样品进行分析。实验结果显示,高能Xe或Pb离子的辐照能显著影响样品的发光特性,发光峰的改变与碳的注入剂量、高能离子的种类和能量以及辐照剂量密切相关,发光强度会随着高能离子的辐照剂量增加而变化,具有较大电子能损值的入射离子能更高效的导致材料的发光特性改变。发光特性的改变与薄膜内部微结构的变化有关,入射离子对应的电子能损大将会造成更大的材料损伤,从而能更显著的影响样品的发光。对离子辐照导致薄膜发光峰演化与薄膜微结构改变的关联进行了简单讨论。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:6157522 |
| 源URL | [http://119.78.100.186/handle/113462/59782]  |
| 专题 | 中国科学院近代物理研究所 |
| 作者单位 | (1)菏泽学院物理与电子工程系;(2)中国科学院近代物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘纯宝,陈兰芳,蔡鲁刚. Xe/Pb离子辐照对注碳SiO_2发光特性的影响[J]. 功能材料,2018,49:1055-1058+1063. |
| APA | 刘纯宝,陈兰芳,&蔡鲁刚.(2018).Xe/Pb离子辐照对注碳SiO_2发光特性的影响.功能材料,49,1055-1058+1063. |
| MLA | 刘纯宝,et al."Xe/Pb离子辐照对注碳SiO_2发光特性的影响".功能材料 49(2018):1055-1058+1063. |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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